图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2SD1835 |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 400mV @ 50mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 140 @ 100mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 750mW |
| 频率转换 | 150MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 3-SIP |
| 供应商器件封装 | 3-NP |
| 包装材料 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Transition Frequency | 150(Typ) |
| 包装宽度 | 4 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 750 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 供应商封装形式 | NP |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 5 |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 140@100mA@2V |
| 包装高度 | 5 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 封装 | Bag |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 50mA, 1A |
| 标准包装 | 500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | 3-NP |
| 功率 - 最大 | 750mW |
| 封装/外壳 | 3-SIP |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 140 @ 100mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 150 mV |
| 晶体管极性 | NPN |
| 系列 | 2SD1835 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| Pd - Power Dissipation | 750 mW |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
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